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T3160N14TOF VT /
T3160N14TOF VT的规格信息
T3160N14TOF VT的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装/外壳:BG-T11126K-1

封装:Tray

Moisture Level:NA

Configuration:Electrical Triggered Phase Control Thyristor

VDRM / VRRM [V]:1400.0

VDRM/ VRRM (V):1400.0 V

Housing:Disc dia 111mm height 26mm / Ceramic

ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin):3160/85

rT [mΩ] (@Tvj max) max:0.082

Tvj [°C] max:125.0

ITSM:57000.0A

VT0 [V] (@Tvj max) max:0.85

∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max):16245.0

RthJC [K/kW] (@180° el sin) max:8.5

Clamping force [kn] min max:42.0 95.0

ITAVM:3160 (180 ° el sin)

VT/IT [V/kA] (@Tvj max):1.37/6.0

ITSM [A] (@10ms, Tvj max):57000.0

tq [µs]:250.0

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

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